商号又は名称 | サムコ株式会社 | |
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商号又は名称(フリガナ) | - | |
法人番号 | 4130001014511 | |
法人種別 | 株式会社 | |
都道府県 | 京都府 | |
市区町村 | 京都市伏見区 | |
郵便番号 | 〒6128443 | |
登記住所 | 京都府京都市伏見区竹田藁屋町36番地 | |
最寄り駅 | 近鉄京都線 伏見駅 0.8km 徒歩11分以上 | |
登録年月日 | 2015/10/05 | |
更新年月日 | 2018/10/25 | |
更新区分 | 新規 | |
概要 | サムコ株式会社の法人番号は4130001014511です。 サムコ株式会社の法人種別は"株式会社"です。 登記上の所在地は、2018/10/25現在 〒6128443 京都府京都市伏見区竹田藁屋町36番地 となっています。 "近鉄京都線 伏見駅 0.8km 徒歩11分以上" が最寄り駅の情報となります。 周辺に4件のカフェ情報 [喫茶きたはた、たくちゃん、珈琲館 ぽぷら、楽水軒] 4件の宿情報 [HOPETREE 京都、Guest house LOCOKOKORO、パルセスイン京都、旅館 寿々喜荘] があります。 サムコ株式会社は、2015/10/05に法人番号が新規登録されています。 |
京都市伏見区の予測雨量 | |
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04/26 01:05現在0(mm/h) | 04/26 02:05予測0(mm/h) |
京都府 京都 の天気 | |
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今日 04月25日(木) | 明日 04月26日(金) |
晴れ : 最高 25 ℃ 最低 - ℃ | 晴のち曇 : 最高 29 ℃ 最低 13 ℃ |
京都府は、高気圧に覆われておおむね晴れています。 25日の京都府は、高気圧に覆われて晴れるでしょう。 26日の京都府は、高気圧に覆われて晴れますが、気圧の谷や湿った空気の影響で夕方から曇る見込みです。 |
代表者名 | 代表取締役社長 川邊 史 |
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法人名ふりがな | さむこ |
資本金 | 1,663,687,000円 |
従業員数 | 175人 |
設立年月日 | 1979年9月1日 |
事業項目 | 116,118,216,218,309 |
企業名もしくは出資者 | 出資比率(%) |
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(一財)サムコ科学技術振興財団 | 12.45 |
辻 理 | 10.93 |
日本マスタートラスト信託銀行(株) | 10.79 |
サムコエンジニアリング(株) | 10.59 |
(株)日本カストディ銀行 | 5.5 |
辻 一美 | 2.51 |
野村信託銀行(株) | 1.8 |
(株)三菱UFJ銀行 | 1.61 |
サムコ従業員持株会 | 1.3 |
立田 利明 | 1.28 |
当期(円) | |
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売上高 | 7,830,591,000 |
経常利益又は経常損失(△) | 1,927,165,000 |
当期純利益又は当期純損失(△) | 1,366,127,000 |
資本金 | 1,663,687,000 |
純資産 | 11,144,255,000 |
総資産 | 14,795,031,000 |
従業員数 | 175 人 |
1期前(円) | |
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売上高 | 6,401,870,000 |
経常利益又は経常損失(△) | 1,481,405,000 |
当期純利益又は当期純損失(△) | 1,052,910,000 |
資本金 | 1,663,687,000 |
純資産 | 10,057,532,000 |
総資産 | 13,379,640,000 |
従業員数 | 173 人 |
2期前(円) | |
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売上高 | 5,746,666,000 |
経常利益又は経常損失(△) | 1,044,772,000 |
当期純利益又は当期純損失(△) | 755,822,000 |
資本金 | 1,663,687,000 |
純資産 | 9,410,203,000 |
総資産 | 12,069,869,000 |
従業員数 | 178 人 |
3期前(円) | |
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売上高 | 5,869,982,000 |
経常利益又は経常損失(△) | 927,763,000 |
当期純利益又は当期純損失(△) | 634,740,000 |
資本金 | 1,663,687,000 |
純資産 | 8,788,040,000 |
総資産 | 11,274,375,000 |
従業員数 | 171 人 |
4期前(円) | |
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売上高 | 4,936,132,000 |
経常利益又は経常損失(△) | 305,108,000 |
当期純利益又は当期純損失(△) | 215,617,000 |
資本金 | 1,663,687,000 |
純資産 | 8,280,939,000 |
総資産 | 10,784,058,000 |
従業員数 | 170 人 |
出願年月日 | 出願番号 | 特許分類 | タイトル |
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2022/6/23 | 2022072364 | 商標 | Aqua Plasma Boost |
2019/3/13 | 2019046446 | 特許 | 金属窒化物膜製造方法 |
2018/12/10 | 2019559630 | 特許 | シクロオレフィンポリマーと金属の接合方法、およびバイオセンサの製造方法 |
2018/11/6 | 2018208659 | 特許 | SiCトレンチ型MOSFETのトレンチ作製方法 |
2018/10/19 | 2018197905 | 特許 | 誘導結合型プラズマ処理装置の防着板 |
2018/7/19 | 2018136055 | 特許 | 容量結合型プラズマ処理装置 |
2018/7/13 | 2018133376 | 特許 | マイクロ流路チップ製造方法 |
2018/7/13 | 2018133378 | 特許 | シクロオレフィンポリマーの接合方法 |
2018/6/21 | 2019533957 | 特許 | 振動検出素子およびその製造方法 |
2018/3/28 | 2018039137 | 商標 | Aquasteri |
2018/2/19 | 2018026591 | 特許 | プラズマ処理室用排気構造 |
2018/2/8 | 2019502842 | 特許 | シクロオレフィンポリマーの接合方法 |
2018/2/6 | 2018018750 | 特許 | 検出素子およびその製造方法 |
2018/1/10 | 2018001664 | 特許 | プラズマ処理用基板トレイ |
2017/11/30 | 2017230402 | 特許 | プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置 |
2017/11/13 | 2017218218 | 特許 | ステージおよびプラズマ処理装置 |
2017/4/14 | 2017080328 | 特許 | ウエハ処理装置 |
2016/12/13 | 2016241424 | 特許 | プラズマ処理方法 |
2016/8/25 | 2016165017 | 特許 | III族窒化物系化合物半導体結晶板製造方法 |
2016/8/17 | 2016160099 | 特許 | 誘導結合型プラズマ処理装置 |
2016/7/14 | 2016139121 | 特許 | プラズマ処理装置用のトレイ |
2016/6/29 | 2016070385 | 商標 | ESCトレイ |
2016/6/8 | 2016114228 | 特許 | 基板処理装置 |
2016/4/25 | 2016046723 | 商標 | Aqua Plasma |
2016/3/30 | 2016068209 | 特許 | 基板処理装置 |
2016/2/1 | 2016017063 | 特許 | プラズマ洗浄装置およびプラズマ洗浄方法 |
2015/11/12 | 2015222158 | 特許 | 基板のアライメント装置 |
2015/11/9 | 2015219202 | 特許 | 基板処理装置 |
2015/6/4 | 2015113703 | 特許 | 光ビーム測定装置 |
2015/5/27 | 2015107485 | 特許 | アフターコロージョン抑制処理方法 |
2015/5/26 | 2015106237 | 特許 | プラズマ処理装置用基板温度調整機構 |
2015/5/1 | 2015093841 | 特許 | プラズマ処理装置及びトレイ |
2014/9/4 | 2014074556 | 商標 | §samco∞UCP |
2014/9/4 | 2014074554 | 商標 | §samco∞UCP |
2014/9/4 | 2014074555 | 商標 | §samco∞UCP |
2014/9/4 | 2014074557 | 商標 | §samco∞UCP |
2014/7/15 | 2014144759 | 特許 | ゲルマニウム層付き基板の製造方法及びゲルマニウム層付き基板 |
2014/2/28 | 2014038446 | 特許 | プラズマ洗浄装置 |
2014/2/12 | 2014024274 | 特許 | プラズマCVD成膜方法 |
2014/1/8 | 2014002003 | 特許 | ベルヌーイハンド及び半導体製造装置 |
2013/5/16 | 2013104017 | 特許 | プラズマエッチング装置及びプラズマエッチング方法 |
2013/4/4 | 2013078560 | 特許 | ワーク搬送装置 |
2013/3/6 | 2013043709 | 特許 | 窒素含有アモルファスシリコンカーバイドからなるn型半導体及びその製造方法 |