株式会社ＳＵＭＣＯ - 東京都港区

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株式会社ＳＵＭＣＯの基本データ

商号又は名称 株式会社ＳＵＭＣＯ
商号又は名称（フリガナ） サムコ
商号又は名称（英語表記） SUMCO CORPORATION
法人番号 3010401046159
法人種別 株式会社
都道府県 東京都
市区町村 港区
郵便番号 〒1050023
登記住所 東京都港区芝浦１丁目２番１号
国内所在地（英語表記） 1-2-1 Shibaura, Minato ku Tokyo
最寄り駅 ゆりかもめ東京臨海新交通臨海線 日の出駅 0.2km 徒歩2分以上
登録年月日 2015/10/05
更新年月日 2023/03/17
更新区分 新規
概要 株式会社ＳＵＭＣＯの法人番号は3010401046159です。
株式会社ＳＵＭＣＯの法人種別は"株式会社"です。
商号又は名称のヨミガナはサムコ です。
また商号又は名称の英語表記はSUMCO CORPORATION となります。
登記上の所在地は、2023/03/17現在 〒1050023 東京都港区芝浦１丁目２番１号 となっています。
また、国内所在地の英語表記は 1-2-1 Shibaura, Minato ku Tokyo になります。
"ゆりかもめ東京臨海新交通臨海線 日の出駅 0.2km 徒歩2分以上" が最寄り駅の情報となります。
株式会社ＳＵＭＣＯは、2015/10/05に法人番号が新規登録されています。
位置情報：東京都港区芝浦１丁目２番１号

株式会社ＳＵＭＣＯ周辺の天気情報

港区の予測雨量
04/24 10:05現在0（mm/h） 04/24 11:05予測0.45（mm/h）
東京都 東京 の天気
今日 04月24日(水) 明日 04月25日(木)
雨  雨 : 最高 17 ℃ 最低  - ℃ 晴時々曇  晴時々曇 : 最高 26 ℃ 最低 14 ℃
　四国沖には前線を伴った低気圧があって、東北東に進んでいます。関東甲信地方は低気圧や前線に流れ込む湿った空気の影響を受けています。 　東京地方は、雨や曇りとなっています。 　２４日は、前線を伴った低気圧が東海道沖へ進むため、湿った空気の影響を受ける見込みです。このため、雨で、伊豆諸島では雷を伴い激しく降る所があるでしょう。 　２５日は、前線を伴った低気圧がはじめ関東の沿岸を北東に進みますが、次第に東シナ海に中心を持つ高気圧に覆われる見込みです。このため、晴れ時々曇りとなるでしょう。伊豆諸島では雨で雷を伴う所がある見込みです。 【関東甲信地方】 　関東甲信地方は、雨や曇りとなっています。 　２４日は、前線を伴った低気圧が東海道沖へ進むため、湿った空気の影響を受ける見込みです。このため、雨で雷を伴う所があり、伊豆諸島では激しく降るでしょう。 　２５日は、前線を伴った低気圧がはじめ関東の沿岸を北東に進みますが、次第に東シナ海に中心を持つ高気圧に覆われる見込みです。このため、はじめ曇りや雨で雷を伴う所がありますが、次第に晴れてくるでしょう。 　関東地方と伊豆諸島の海上では、２４日
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株式会社ＳＵＭＣＯの株式上場データ

マーケット 東証一部
業種 金属製品
証券コード3436
上場年月日2005年11月17日
決算月12月末日

株式会社ＳＵＭＣＯの法人詳細データ

代表者名 代表取締役　会長兼ＣＥＯ　　橋本　眞幸
法人名ふりがな さむこ
資本金 199,034,000,000円
従業員数 7,520人

株式会社ＳＵＭＣＯの大株主の状況

企業名もしくは出資者 出資比率（％）
日本マスタートラスト信託銀行株式会社(信託口) 15.31
株式会社日本カストディ銀行(信託口) 6.9
SSBTC CLIENT OMNIBUS ACCOUNT (常任代理人 香港上海銀行東京支店カストディ業務部) 4.88
STATE STREET BANK AND TRUST COMPANY 505001(常任代理人 株式会社みずほ銀行決済営業部) 3.6
BBH (LUX)  FOR FIDELITY FUNDS - GLOBAL TECHNOLOGY POOL(常任代理人 株式会社三菱ＵＦＪ銀行) 2.14
BNYMSANV AS AGENT / CLIENTS LUX UCITS NON TREATY 1(常任代理人株式会社三菱ＵＦＪ銀行) 1.89
STATE STREET BANK WEST CLIENT - TREATY 505234 (常任代理人株式会社みずほ銀行決済営業部) 1.85
ＳＭＢＣ日興証券株式会社 1.7
三菱ＵＦＪモルガン・スタンレー証券株式会社 1.4
ＪＰモルガン証券株式会社 1.32

株式会社ＳＵＭＣＯの経営指標の推移

 当期 第25期(自　2023年１月１日　至　2023年12月31日)
当期（円）
売上高 342,269,000,000
経常利益又は経常損失（△） 59,820,000,000
当期純利益又は当期純損失（△） 47,188,000,000
資本金 199,034,000,000
純資産 477,929,000,000
総資産 813,295,000,000
従業員数 4,938 人
1期前（円）
売上高 367,288,000,000
経常利益又は経常損失（△） 76,443,000,000
当期純利益又は当期純損失（△） 60,010,000,000
資本金 199,034,000,000
純資産 463,111,000,000
総資産 750,304,000,000
従業員数 4,622 人
2期前（円）
売上高 284,182,000,000
経常利益又は経常損失（△） 41,747,000,000
当期純利益又は当期純損失（△） 40,471,000,000
資本金 199,034,000,000
純資産 423,148,000,000
総資産 679,481,000,000
従業員数 4,168 人
3期前（円）
売上高 242,883,000,000
経常利益又は経常損失（△） 29,701,000,000
当期純利益又は当期純損失（△） 27,155,000,000
資本金 138,718,000,000
純資産 272,378,000,000
総資産 521,514,000,000
従業員数 4,011 人
4期前（円）
売上高 251,244,000,000
経常利益又は経常損失（△） 46,118,000,000
当期純利益又は当期純損失（△） 41,962,000,000
資本金 138,718,000,000
純資産 256,696,000,000
総資産 508,983,000,000
従業員数 3,981 人

株式会社ＳＵＭＣＯの職場データ

労働者に占める女性労働者の割合 33%

株式会社ＳＵＭＣＯの特許情報  648件

出願年月日 出願番号 特許分類 タイトル
2021/12/10 2021201234 特許 半導体ウェーハ用エピタキシャル成長装置の基準位置検出状態の判定方法、半導体ウェーハの載置位置測定方法、及び、エピタキシャル成長装置
2021/11/15 2021185522 特許 横型熱処理炉、熱処理方法及びシリコンウェーハの製造方法
2021/11/10 2021183205 特許 半導体試料の評価方法、半導体試料の評価装置および半導体ウェーハの製造方法
2021/10/7 2021165284 特許 機械学習の評価方法及び機械学習による推定モデルの生成方法
2021/6/11 2021098146 特許 ワークの両面研磨方法及びワークの両面研磨装置
2020/12/16 2020208282 特許 シリコンウェーハの研磨方法及びシリコンウェーハの製造方法
2020/6/12 2020102456 特許 ワークの両面研磨方法、ワークの製造方法、及びワークの両面研磨装置
2020/4/20 2020074964 特許 エピタキシャルウェーハの製造システム及びエピタキシャルウェーハの製造方法
2020/4/6 2021530491 特許 誘導加熱コイル及びこれを用いた単結晶製造装置
2020/3/31 2020062561 特許 状態判定装置、状態判定方法、及び状態判定プログラム
2020/3/27 2020058832 特許 保全管理装置、保全管理方法、及び保全管理プログラム
2020/3/25 2020054543 特許 シリコンウェーハへのクラスターイオン注入による白傷欠陥低減効果の評価方法及びエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法
2020/2/7 2020020016 特許 ＳＯＩウェーハの貼合わせ方法
2020/1/30 2020013352 特許 単結晶製造管理システム
2020/1/10 2020003047 特許 半導体ウェーハの洗浄装置および半導体ウェーハの洗浄方法
2019/12/27 2019239538 特許 シリコン試料の炭素濃度評価方法およびこの方法に使用される評価装置、シリコンウェーハ製造工程の評価方法、シリコンウェーハの製造方法ならびにシリコン単結晶インゴットの製造方法
2019/12/27 2021511115 特許 研磨ヘッド、研磨装置および半導体ウェーハの製造方法
2019/12/26 2019237212 特許 半導体ウェーハ用研磨布の使用開始時期の判定方法及びそれを用いた半導体ウェーハの研磨方法、並びに半導体ウェーハ研磨システム
2019/12/26 2019237210 特許 結晶欠陥の検出方法、エピタキシャル成長装置の管理方法およびエピタキシャルウェーハの製造方法
2019/12/26 2019236549 特許 シリコンウェーハの欠陥検査方法及びシリコンウェーハの欠陥検査システム
2019/12/26 2019236042 特許 ＳＯＩウェーハの片面研磨システム及びそれを用いたＳＯＩウェーハの片面研磨方法
2019/12/26 2019236531 特許 シリコンウェーハの欠陥検査方法
2019/12/25 2019234059 特許 気相成長装置
2019/12/25 2019234575 特許 研磨装置への半導体ウェーハの受け渡し方法および半導体ウェーハの製造方法
2019/12/24 2019233273 特許 シリコン単結晶の製造方法、シリコン単結晶
2019/12/23 2019231222 特許 単結晶育成方法および単結晶育成装置
2019/12/20 2019230388 特許 シリコンインゴットへの中性子照射方法、シリコンインゴットの製造方法およびシリコンウェーハの製造方法
2019/12/20 2019230424 特許 単結晶シリコンウェーハの酸化膜耐圧の評価方法
2019/12/20 2019230418 特許 単結晶シリコンインゴットの製造方法
2019/12/19 2019229378 特許 研磨ヘッド、化学的機械的研磨装置、および、化学的機械的研磨方法
2019/12/19 2019228866 特許 気相成長装置及び気相成長処理方法
2019/12/19 2019229694 特許 エピタキシャルシリコンウェーハ及びその製造方法並びにＸ線検出センサ
2019/12/19 2019229687 特許 エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法
2019/12/19 2019228902 特許 気相成長装置及び気相成長方法
2019/12/18 2019228637 特許 エピタキシャルウェーハのゲッタリング能力評価方法およびエピタキシャルウェーハの製造方法
2019/12/18 2019228635 特許 接合ウェーハ及びその製造方法
2019/12/16 2020563094 特許 石英ガラスルツボ
2019/12/6 2019221034 特許 シリコン単結晶の製造方法
2019/12/6 2020563018 特許 熱処理炉の前処理条件の決定方法、熱処理炉の前処理方法、熱処理装置ならびに熱処理された半導体ウェーハの製造方法および製造装置
2019/12/6 2019221306 特許 誘導加熱コイル及びこれを用いた単結晶製造装置
2019/12/5 2019220093 特許 シリコンウェーハの製造方法
2019/12/4 2019219896 特許 質量測定装置および質量測定方法
2019/12/4 2019219532 特許 単結晶製造装置及び単結晶の製造方法
2019/11/11 2019203656 特許 炭素製ルツボ
2019/11/7 2019202182 特許 レーザー表面検査装置の座標位置特定精度校正方法および半導体ウェーハの評価方法
2019/11/6 2019201561 特許 エピタキシャルシリコンウェーハのパッシベーション効果評価方法
2019/11/6 2019201560 特許 エピタキシャルシリコンウェーハのパッシベーション効果評価方法
2019/10/29 2019196678 特許 点欠陥シミュレーター、点欠陥シミュレーションプログラム、点欠陥シミュレーション方法、シリコン単結晶の製造方法および単結晶引き上げ装置
2019/9/27 2019177790 特許 ワークの両面研磨方法
2019/9/12 2020546200 特許 ウェーハの鏡面面取り方法、ウェーハの製造方法、及びウェーハ
2019/9/9 2019163987 特許 半導体デバイス
2019/9/9 2019163746 特許 シリコン単結晶の製造方法
2019/9/6 2019162971 特許 シリコン単結晶の育成方法およびシリコン単結晶の引き上げ装置
2019/9/5 2019161793 特許 シリコン試料の前処理方法、シリコン試料の金属汚染評価方法、単結晶シリコンインゴット育成工程の評価方法、単結晶シリコンインゴットの製造方法およびシリコンウェーハの製造方法
2019/9/3 2019160035 特許 光モジュール及びその製造方法
2019/9/2 2019159627 特許 単結晶シリコンの酸素濃度又は炭素濃度の測定方法
2019/8/30 2019158190 特許 シリコン単結晶の育成方法およびシリコン単結晶の引き上げ装置
2019/8/30 2019157906 特許 半導体試料の評価方法
2019/8/7 2019145410 特許 レーザマーク付きシリコンウェーハの製造方法
2019/7/25 2019137201 特許 光モジュールの製造方法及び光モジュール
2019/7/24 2019136352 特許 ヘテロエピタキシャルウェーハの製造方法
2019/6/27 2019120088 特許 エピタキシャル成長装置およびエピタキシャルウェーハの製造方法
2019/6/26 2019118631 特許 単結晶シリコンの抵抗率測定方法
2019/6/21 2019115806 特許 付着物除去装置及び付着物除去方法
2019/6/12 2019109637 特許 シリコンウェーハの評価方法
2019/5/21 2019095411 特許 単結晶引き上げ装置の評価システム及び評価方法
2019/5/15 2020519897 特許 石英ルツボの透過率測定方法及び装置
2019/5/14 2019091373 特許 研磨パッドの管理方法及び研磨パッドの管理システム
2019/5/13 2019090661 特許 シリコン単結晶引き上げ用石英ガラスルツボ及びその製造方法
2019/5/8 2019088271 特許 石英ルツボ製造用モールド及びこれを用いた石英ルツボ製造装置
2019/4/25 2019084206 特許 半導体ウェーハの分析方法、半導体ウェーハ製造工程評価方法および半導体ウェーハの製造方法
2019/4/18 2019079122 特許 気相成長方法及び気相成長装置
2019/4/18 2019079260 特許 シリコンウェーハのスリップ転位に対する耐性の評価方法
2019/4/18 2019079124 特許 気相成長方法及び気相成長装置
2019/4/15 2019077361 特許 片面研磨装置へのウェーハ装填装置
2019/4/15 2019077025 特許 評価体、評価システム、評価体の製造方法、および評価方法
2019/4/12 2019076187 特許 シリコン単結晶の製造時におけるギャップサイズ決定方法、および、シリコン単結晶の製造方法
2019/4/11 2019075856 特許 ウェーハの回転検出方法及びウェーハの回転検出システム
2019/4/11 2019075501 特許 気相成長装置及びこれに用いられるキャリア
2019/4/10 2019075112 特許 半導体ウェーハの品質評価方法、半導体ウェーハの収容容器の評価方法、半導体ウェーハの収容容器の選定方法、半導体ウェーハの輸送ルートの評価方法および半導体ウェーハの輸送ルートの選定方法
2019/4/10 2019074564 特許 半導体製品の導電型判別装置および導電型判別方法
2019/4/3 2019071511 特許 エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法
2019/4/3 2019071368 特許 エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法
2019/4/2 2019070793 特許 エピタキシャルシリコンウェーハの不純物ゲッタリング能力の評価方法
2019/4/1 2019070180 特許 シリコンウェーハの平坦化加工方法
2019/3/22 2019055545 特許 ワークの両面研磨方法及びワークの両面研磨装置
2019/3/22 2020513156 特許 半導体ウェーハの評価方法および半導体ウェーハの製造方法
2019/3/5 2020521042 特許 ＩＩＩ族窒化物半導体基板の製造方法
2019/3/1 2019037335 特許 シリコン単結晶製造装置
2019/2/27 2020526645 特許 シリコン融液の対流パターン制御方法、および、シリコン単結晶の製造方法
2019/2/25 2019032054 特許 貼り合わせウェーハのテラス加工方法及びテラス加工装置
2019/2/25 2019032051 特許 貼り合わせウェーハのテラス加工方法
2019/2/25 2020503501 特許 エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法およびエピタキシャルシリコンウェーハ
2019/2/22 2019030453 特許 エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法
2019/2/22 2019030929 特許 半導体エピタキシャルウェーハ及びその製造方法
2019/2/22 2019030930 特許 クラスターイオンビーム生成方法及びクラスターイオンビーム照射方法
2019/2/14 2019024185 特許 ウェーハ回収装置、研磨システム、および、ウェーハ回収方法
2019/2/13 2020501693 特許 石英ガラスルツボ及びこれを用いたシリコン単結晶の製造方法
2019/1/11 2019003058 特許 シリカガラスルツボの製造装置および製造方法
2019/1/11 2019003483 特許 高抵抗材料の抵抗率測定方法
2018/12/28 2018246861 特許 半導体ウェーハの端面評価方法、半導体ウェーハ収容容器の評価方法、半導体ウェーハ梱包形態の評価方法および半導体ウェーハ輸送形態の評価方法
2018/12/27 2018245302 特許 両頭研削方法
2018/12/27 2018244822 特許 気相成長装置
2018/12/27 2018244844 特許 気相成長装置及びこれに用いられるキャリア
2018/12/27 2018245109 特許 シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法
2018/12/27 2018245448 特許 半導体ウェーハの評価方法および製造方法ならびに半導体ウェーハの製造工程管理方法
2018/12/27 2018244833 特許 気相成長装置
2018/12/27 2018245301 特許 ウェーハの製造方法およびウェーハ
2018/12/27 2018245438 特許 半導体ウェーハの評価方法及び半導体ウェーハの製造方法
2018/12/27 2018245106 特許 シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法及びシリコンエピタキシャルウェーハ
2018/12/27 2018244665 特許 単結晶シリコンの製造方法
2018/12/27 2018244642 特許 ガス分析方法
2018/12/26 2018243494 特許 シリコンウェーハのバッチ式洗浄方法並びにその洗浄方法を用いたシリコンウェーハの製造方法及びシリコンウェーハの洗浄条件決定方法
2018/12/26 2018243512 特許 シリコンウェーハのバッチ式洗浄方法並びにその洗浄方法を用いたシリコンウェーハの製造方法及びシリコンウェーハの洗浄条件決定方法
2018/12/25 2018241750 特許 多結晶ダイヤモンド自立基板及びその製造方法
2018/12/25 2018241365 特許 ウェーハ移載装置、気相成長装置、ウェーハ移載方法およびエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法
2018/12/25 2018241366 特許 気相成長装置およびエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法
2018/12/25 2018240914 特許 半導体ウェーハの洗浄槽および洗浄方法
2018/12/21 2018240172 特許 埋込み拡散層付きエピタキシャルシリコンウェーハにおけるシリコンエピタキシャル層の膜厚測定装置および膜厚測定方法、ならびに当該膜厚測定装置または当該膜厚測定方法を用いた埋込み拡散層付きエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法
2018/12/19 2018237665 特許 多結晶ダイヤモンド自立基板の製造方法
2018/12/19 2018237663 特許 単結晶シリコンインゴットの製造方法及びシリコン単結晶引上げ装置
2018/12/19 2018237641 特許 石英ガラスルツボ
2018/11/30 2018224971 特許 エピタキシャルウェーハの製造方法および装置
2018/11/30 2018224843 特許 単結晶引き上げ装置、および、シリコン単結晶の製造方法
2018/11/28 2018221935 特許 貼付物の検査方法および半導体ウェーハの内装方法
2018/11/28 2018222321 特許 シリコン単結晶の製造方法
2018/11/28 2018222618 特許 熱伝導率推定方法、熱伝導率推定装置、半導体結晶製品の製造方法、熱伝導率演算装置、熱伝導率演算プログラム、および、熱伝導率演算方法
2018/11/19 2018216585 特許 シリコンウェーハのヘリカル面取り加工方法
2018/11/16 2018215822 特許 ウェーハの製造方法、ワイヤーソー用再利用スラリーの品質評価方法、及びワイヤーソー用使用済みスラリーの品質評価方法
2018/11/16 2019557153 特許 シリコン単結晶及びその製造方法並びにシリコンウェーハ
2018/10/22 2018198503 特許 レーザマーク付きシリコンウェーハの製造方法
2018/10/19 2018197943 特許 シリコン試料の炭素濃度評価方法およびこの方法に使用される評価装置、シリコンウェーハ製造工程の評価方法、シリコンウェーハの製造方法ならびにシリコン単結晶インゴットの製造方法
2018/10/15 2018194023 特許 石英るつぼ内周面の評価方法及び石英るつぼ内周面の評価装置
2018/10/3 2018188480 特許 原料供給方法およびシリコン単結晶の製造方法
2018/10/2 2019560811 特許 ＩＩＩ族窒化物半導体基板の製造方法
2018/9/27 2018182864 特許 ワークの両面研磨装置および両面研磨方法
2018/9/27 2018182224 特許 シリコン単結晶の製造方法
2018/9/26 2018179991 特許 欠陥評価装置の調整状態評価方法及び調整方法
2018/9/11 2018169720 特許 エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法およびエピタキシャルシリコンウェーハ
2018/9/10 2018168955 特許 インゴットのＶノッチ評価方法、インゴットのＶノッチ加工方法、およびインゴットのＶノッチ評価装置
2018/9/5 2018165749 特許 ＳＯＩウェーハ及びその製造方法
2018/9/5 2018165750 特許 ＳＯＩウェーハ及びその製造方法
2018/9/3 2018164796 特許 単結晶の製造方法及び装置及びシリコン単結晶インゴット
2018/9/3 2018164532 特許 シリコン試料の炭素濃度評価方法、シリコンウェーハ製造工程の評価方法、シリコンウェーハの製造方法およびシリコン単結晶インゴットの製造方法
2018/9/3 2018164533 特許 シリコン試料の炭素濃度評価方法、シリコンウェーハ製造工程の評価方法、シリコンウェーハの製造方法およびシリコン単結晶インゴットの製造方法
2018/9/3 2018164793 特許 熱遮蔽部材、単結晶引き上げ装置及び単結晶の製造方法
2018/8/30 2018161897 特許 半導体エピタキシャルウェーハの製造方法及び半導体デバイスの製造方法
2018/8/27 2018158369 特許 シリコン単結晶の製造方法及びシリコンウェーハ
2018/8/23 2020537967 特許 シリコン単結晶の育成方法
2018/8/21 2018154754 特許 シリコンウェーハの製造方法及びシリコンウェーハ
2018/8/9 2018149990 特許 ウェーハの検査方法および検査装置
2018/8/9 2018102357 商標 ＪＳＱ
2018/8/9 2018102356 商標 ＪＳＱ
2018/8/7 2018148114 特許 石英ガラスルツボおよび石英ガラスルツボの製造方法
2018/7/24 2018138707 特許 ワークの両面研磨装置および両面研磨方法
2018/7/20 2018136376 特許 シリコン単結晶の炭素濃度測定方法及び装置
2018/7/19 2018136102 特許 ワークの両面研磨装置および両面研磨方法
2018/7/11 2018131759 特許 半導体ウェーハの洗浄方法、および該洗浄方法を用いた半導体ウェーハの製造方法
2018/7/9 2018130182 特許 シリコンウェーハの検査方法、検査装置、製造方法
2018/6/21 2018117563 特許 エピタキシャルウェーハの製造条件決定方法およびエピタキシャルウェーハの製造方法
2018/6/19 2018115991 特許 液化ガスタンク
2018/6/15 2019526805 特許 シリコン単結晶の製造方法
2018/6/12 2018112229 特許 シリコンロッドの破砕方法及び装置並びにシリコン塊の製造方法
2018/6/11 2019527597 特許 石英ガラスルツボ
2018/6/11 2018110907 特許 シリコンウェーハの評価方法
2018/6/11 2018111345 特許 融液面と種結晶の間隔測定方法、種結晶の予熱方法、及び単結晶の製造方法
2018/6/8 2018110106 特許 シリコン単結晶の製造方法
2018/5/22 2018098061 特許 ワークの両面研磨装置および両面研磨方法
2018/5/17 2018095300 特許 研磨ヘッド及びこれを用いたウェーハ研磨装置及び研磨方法
2018/4/27 2018086795 特許 シリコン単結晶の製造方法およびシリコン単結晶の引き上げ装置
2018/4/24 2019517549 特許 スプレーチャンバー、試料霧化導入装置、分析装置および試料中の成分分析方法
2018/4/16 2018078691 特許 キャリアの製造方法および半導体ウェーハの研磨方法
2018/4/12 2019514372 特許 シリコン単結晶の製造方法、および、エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法
2018/4/11 2018076296 特許 ワークの両面研磨装置
2018/4/2 2019516369 特許 石英ガラスルツボ及びその製造方法
2018/4/2 2021000917 特許 シリコン単結晶の製造方法
2018/3/30 2018068802 特許 ワイヤーソー用スラリーノズル
2018/3/28 2019511179 特許 エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法およびエピタキシャルシリコンウェーハ
2018/3/22 2018054160 特許 ＦＺ炉の多結晶原料把持具
2018/3/22 2018054306 特許 ボロンドープｐ型シリコンウェーハのエッチング方法、金属汚染評価方法および製造方法
2018/3/20 2019515154 特許 ｎ型シリコン単結晶の製造方法
2018/3/16 2018049733 特許 ウェーハの熱処理方法およびウェーハの製造方法
2018/3/16 2018049565 特許 アーク電極の位置調整方法及びこれを用いた石英ガラスルツボの製造方法及び製造装置
2018/3/8 2018042138 特許 半導体ウェーハのゲッタリング能力評価方法
2018/3/1 2018036909 特許 半導体エピタキシャルウェーハの製造方法
2018/3/1 2018036913 特許 半導体エピタキシャルウェーハの製造方法
2018/2/28 2018035833 特許 シリコン融液の対流パターン制御方法、シリコン単結晶の製造方法、および、シリコン単結晶の引き上げ装置
2018/2/28 2018035832 特許 シリコン単結晶の製造方法
2018/2/28 2018035830 特許 シリコン融液の対流パターン推定方法、シリコン単結晶の酸素濃度推定方法、シリコン単結晶の製造方法、および、シリコン単結晶の引き上げ装置
2018/2/28 2018035834 特許 シリコン単結晶の製造方法およびシリコン単結晶の引き上げ装置
2018/2/28 2018035829 特許 シリコン単結晶の酸素濃度推定方法、およびシリコン単結晶の製造方法
2018/2/27 2020503110 特許 半導体単結晶インゴットのスライス方法
2018/2/27 2018033566 特許 半導体ウェーハのゲッタリング能力の評価方法および該評価方法を用いた半導体ウェーハの製造方法
2018/2/27 2018033400 特許 シリコンウェーハの反り量の予測方法およびシリコンウェーハの製造方法
2018/2/27 2018033818 特許 半導体エピタキシャルウェーハの製造方法及び半導体デバイスの製造方法
2018/2/27 2018033766 特許 エピタキシャルシリコンウェーハの不純物ゲッタリング能力の評価方法
2018/2/26 2018032266 特許 エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法及びエピタキシャルシリコンウェーハ
2018/2/23 2018031159 特許 ウェーハの片面研磨方法
2018/2/21 2020501895 特許 ウェーハの製造方法
2018/2/16 2018026430 特許 エピタキシャルシリコンウェーハにおける積層欠陥の発生予測方法及びエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法
2018/2/7 2018019727 特許 シリカガラスルツボの製造装置およびシリカガラスルツボの製造方法
2018/2/2 2018566141 特許 単結晶引上装置のクリーニング装置、クリーニング方法
2018/1/24 2018009752 特許 シリコン層の評価方法およびシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法
2018/1/18 2018006289 特許 貼り合わせウェーハの製造方法
2018/1/18 2018006193 特許 半導体ウェーハの評価方法および半導体ウェーハの製造方法
2018/1/17 2018005914 特許 貼り合わせウェーハの製造方法、貼り合わせウェーハ
2018/1/17 2018005850 特許 原料供給方法およびシリコン単結晶の製造方法
2018/1/11 2019502487 特許 シリコン単結晶インゴットの製造方法およびシリコン単結晶インゴット
2017/12/28 2017029545 意匠 ウェーハ収納容器用緩衝材
2017/12/28 2017253108 特許 シリカガラスルツボ、シリコン単結晶の引き上げ装置およびシリコン単結晶の製造方法
2017/12/28 2017253906 特許 ワークの両面研磨装置および両面研磨方法
2017/12/28 2017029544 意匠 ウェーハ収納容器用緩衝材
2017/12/28 2017254019 特許 エピタキシャルウェーハの製造装置及び製造方法
2017/12/28 2017029543 意匠 ウェーハ収納容器用緩衝材
2017/12/28 2017029542 意匠 ウェーハ収納容器用緩衝材
2017/12/28 2017029546 意匠 ウェーハ収納容器用緩衝材
2017/12/27 2017252003 特許 エピタキシャルウェーハの製造方法およびエピタキシャルウェーハ
2017/12/27 2017251023 特許 エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法およびエピタキシャルシリコンウェーハ
2017/12/27 2017251496 特許 吸着チャック
2017/12/26 2017248997 特許 単結晶の製造方法及び製造装置
2017/12/26 2020185382 特許 エピタキシャルシリコンウェーハ
2017/12/26 2017249274 特許 シリコン単結晶の製造方法
2017/12/26 2017249862 特許 エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法
2017/12/25 2017248019 特許 エピタキシャル成長装置およびそれを用いた半導体エピタキシャルウェーハの製造方法
2017/12/25 2017247957 特許 エピタキシャルウェーハの汚染評価方法および該方法を用いたエピタキシャルウェーハの製造方法
2017/12/25 2017248303 特許 サセプタおよび該サセプタを用いたエピタキシャルウェーハの製造方法
2017/12/25 2017248298 特許 ウェーハの両面研磨方法
2017/12/25 2017247850 特許 半導体ウェーハ収納容器の梱包用緩衝体
2017/12/22 2017246867 特許 気相成長装置の汚染管理方法及びエピタキシャルウェーハの製造方法
2017/12/22 2017246979 特許 ｐ型シリコンウェーハ中のＦｅ濃度測定方法及びＳＰＶ測定装置
2017/12/22 2017246955 特許 ｐ型シリコンウェーハ中のＦｅ濃度測定方法及びＳＰＶ測定装置
2017/12/20 2017244437 特許 リチャージ管、原料供給装置、単結晶引き上げ装置、リチャージ管の使用方法、リチャージ方法、単結晶引き上げ方法
2017/12/20 2017244262 特許 エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法およびエピタキシャルシリコンウェーハ
2017/12/20 2017244098 特許 クリーニング方法、シリコン単結晶の製造方法、および、クリーニング装置
2017/12/19 2017242865 特許 インゴットブロックの製造方法、半導体ウェーハの製造方法、およびインゴットブロックの製造装置
2017/12/19 2017242866 特許 シリコン単結晶の製造方法
2017/12/19 2017242514 特許 貼り合わせウェーハ用の支持基板の製造方法および貼り合わせウェーハの製造方法
2017/12/19 2017242286 特許 半導体ウェーハの製造方法
2017/12/19 2017242637 特許 貼合せウェーハの製造方法および貼合せウェーハ
2017/12/19 2018565980 特許 リフトピン、該リフトピンを用いたエピタキシャル成長装置およびシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法
2017/12/1 2017231557 特許 半導体ウェーハの載置位置測定方法および半導体エピタキシャルウェーハの製造方法
2017/11/29 2017229400 特許 エピタキシャルウェーハの製造方法及び気相成長装置の管理方法
2017/11/27 2017226829 特許 シリコン単結晶のＢＭＤ評価方法およびシリコン単結晶の製造方法
2017/11/16 2017220678 特許 シリコン単結晶の評価方法およびシリコンウェーハの製造方法
2017/11/13 2017218314 特許 シリコン単結晶の製造装置および製造方法
2017/11/7 2017214590 特許 単結晶の製造方法及び装置
2017/10/31 2017210658 特許 シリコンブロックの品質判定方法、シリコンブロックの品質判定プログラム、およびシリコン単結晶の製造方法
2017/10/25 2017206607 特許 シリコン単結晶の良否判別方法、シリコン単結晶の製造方法、およびシリコンウェーハの製造方法
2017/10/24 2017205486 特許 検査治具及びこれを用いたシリコンウェーハの欠陥検査方法
2017/10/17 2019517872 特許 シリコンウェーハの研磨方法
2017/10/16 2017200286 特許 片面研磨装置へのウェーハ貼付装置、および片面研磨装置へのウェーハ貼付方法
2017/10/16 2017200276 特許 シリコン単結晶の製造方法
2017/10/11 2017197421 特許 半導体ウェーハの評価方法および半導体ウェーハの製造方法
2017/10/2 2017192768 特許 半導体ウェーハの評価方法および該方法を用いた半導体ウェーハの製造方法
2017/9/29 2017190596 特許 石英ルツボの不純物分析方法
2017/9/29 2017191553 特許 坩堝支持台座、石英坩堝支持装置およびシリコン単結晶の製造方法
2017/9/28 2017189212 特許 シリコン単結晶の製造方法
2017/9/25 2017183912 特許 ＳＯＩウェーハの製造方法およびＳＯＩウェーハ
2017/9/20 2017180497 特許 梱包構造体、半導体ウェーハの梱包方法および輸送方法
2017/9/6 2017171446 特許 液面レベル検出装置の調整用治具および調整方法
2017/8/31 2019538845 特許 サセプタ、エピタキシャル成長装置、エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法、ならびにエピタキシャルシリコンウェーハ
2017/8/31 2019538866 特許 シリコンウェーハの両面研磨方法
2017/8/30 2017165387 特許 キャリアの製造方法およびウェーハの研磨方法
2017/8/24 2018540925 特許 石英ガラスルツボ及びその製造方法並びに石英ガラスルツボを用いたシリコン単結晶の製造方法
2017/8/24 2020152250 特許 シリコン単結晶の製造方法
2017/8/23 2017160276 特許 チャックテーブルの洗浄装置および該洗浄装置を備える研削装置
2017/8/17 2020071405 特許 石英ガラスルツボ
2017/8/17 2018539584 特許 石英ガラスルツボ及びその製造方法
2017/8/8 2017153209 特許 エピタキシャルシリコンウェーハの不純物ゲッタリング能力の評価方法及びエピタキシャルシリコンウェーハ
2017/8/7 2018533461 特許 エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法
2017/8/7 2017152715 特許 シリコン単結晶の製造方法
2017/8/3 2017150642 特許 シリコン単結晶のＯＳＦ評価方法、エピタキシャルウェーハの検査方法、およびシリコン単結晶の製造方法
2017/8/1 2017148976 特許 シリコン単結晶の製造装置及び製造方法
2017/7/25 2017143569 特許 シリコン単結晶の製造方法
2017/7/21 2017141860 特許 ダイヤモンド積層シリコンウェーハの製造方法およびダイヤモンド積層シリコンウェーハ
2017/7/20 2017141117 特許 半導体エピタキシャルウェーハおよびその製造方法、ならびに固体撮像素子の製造方法
2017/7/20 2017140909 特許 シリコン単結晶の製造方法
2017/7/18 2017138707 特許 シリコンウェーハ製造工程の評価方法およびシリコンウェーハの製造方法
2017/7/11 2017135345 特許 シリコン単結晶製造装置
2017/7/10 2017134917 特許 シリコンウェーハ及びその製造方法
2017/7/10 2017134916 特許 シリコンウェーハの製造方法
2017/7/10 2017134847 特許 シリコン単結晶引上げ装置及び単結晶シリコンインゴットの製造方法
2017/7/10 2017134449 特許 シリコン単結晶の製造方法
2017/7/10 2017134918 特許 シリコンウェーハの加工方法
2017/7/6 2018532875 特許 単結晶の製造方法及び装置
2017/7/5 2017131794 特許 シリコンウェーハの抵抗率評価方法
2017/6/26 2017124294 特許 シリコンウェーハ
2017/6/23 2017123626 特許 シリコンウェーハのサーマルドナー生成挙動予測方法、シリコンウェーハの評価方法およびシリコンウェーハの製造方法
2017/6/19 2017119536 特許 レーザマークの印字方法、レーザマーク付きシリコンウェーハの製造方法
2017/6/14 2017117129 特許 半導体ウェーハの製造方法および半導体ウェーハ
2017/6/14 2020139655 特許 エピタキシャル成長用の半導体ウェーハ、および半導体エピタキシャルウェーハの製造方法
2017/6/14 2017117135 特許 エピタキシャル成長用の半導体ウェーハの製造方法及び半導体エピタキシャルウェーハの製造方法
2017/6/12 2017114880 特許 原料供給方法およびシリコン単結晶の製造方法
2017/6/7 2017112981 特許 窒化物半導体基板の製造方法および窒化物半導体基板
2017/6/6 2017111329 特許 選別装置、選別装置の製造方法およびシリコン単結晶インゴットの製造方法
2017/5/26 2017104172 特許 シリコン単結晶の製造方法
2017/5/23 2017101340 特許 坩堝支持装置およびシリコン単結晶の製造方法
2017/5/16 2017097363 特許 シリコン単結晶の評価方法およびシリコン単結晶の製造方法
2017/5/9 2017093091 特許 シリコン単結晶の製造方法
2017/4/27 2017088218 特許 シリコン単結晶の引上げ方法
2017/4/25 2017086531 特許 ｎ型シリコン単結晶のインゴット、シリコンウェーハ、およびエピタキシャルシリコンウェーハ
2017/4/19 2017083171 特許 エピタキシャルシリコンウェーハのエピタキシャル層厚の測定方法、及びエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法
2017/4/17 2017081664 特許 多層膜ＳＯＩウェーハの製造方法
2017/4/17 2017081648 特許 多層膜ＳＯＩウェーハの製造方法および多層膜ＳＯＩウェーハ
2017/4/17 2017081663 特許 多層膜ＳＯＩウェーハ及びその製造方法
2017/4/17 2017081105 特許 シリコンウェーハの金属汚染分析方法およびシリコンウェーハの製造方法
2017/4/14 2017080332 特許 単結晶の製造方法及び装置
2017/4/5 2017075534 特許 熱遮蔽部材、単結晶引き上げ装置および単結晶シリコンインゴットの製造方法
2017/4/5 2018027784 特許 熱遮蔽部材、単結晶引き上げ装置および単結晶シリコンインゴットの製造方法
2017/3/31 2017072755 特許 ウェーハの両面研磨装置および両面研磨方法
2017/3/8 2017043991 特許 エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法、エピタキシャルシリコンウェーハおよび固体撮像素子の製造方法
2017/3/8 2017044270 特許 半導体エピタキシャルウェーハの製造方法、品質予測方法および品質評価方法
2017/3/8 2017043892 特許 エピタキシャルウェーハの裏面検査方法、エピタキシャルウェーハ裏面検査装置、エピタキシャル成長装置のリフトピン管理方法およびエピタキシャルウェーハの製造方法
2017/3/7 2017043202 特許 エピタキシャル成長装置およびプリヒートリングならびにそれらを用いたエピタキシャルウェーハの製造方法
2017/3/7 2018083433 特許 エピタキシャル成長装置およびプリヒートリングならびにそれらを用いたエピタキシャルウェーハの製造方法
2017/2/28 2017037613 特許 シリコン単結晶インゴットの製造方法およびシリコン単結晶育成装置
2017/2/27 2017035406 特許 エピタキシャルシリコンウェーハの不純物拡散挙動予測方法、ゲッタリング能力予測方法、ゲッタリング能力調整方法および製造方法
2017/2/24 2017032988 特許 シリコン試料の炭素濃度評価方法、シリコンウェーハ製造工程の評価方法、シリコンウェーハの製造方法およびシリコン単結晶インゴットの製造方法
2017/2/24 2017034013 特許 エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法および固体撮像素子の製造方法
2017/2/24 2017034116 特許 シリコン単結晶の製造方法、整流部材、および、単結晶引き上げ装置
2017/2/15 2017026175 特許 ＦＯＳＢ型出荷用ウェーハ収容容器の洗浄方法
2017/2/13 2017023769 特許 シリコン結晶中の酸素濃度評価方法
2017/2/9 2017022507 特許 回転装置、並びに該回転装置を備える両面研磨装置及び片面研磨装置
2017/2/2 2018565167 特許 単結晶引上装置のクリーニング装置
2017/1/18 2017006560 特許 シリコン単結晶の製造方法
2017/1/5 2017000677 特許 シリコン単結晶の引き上げ条件演算プログラム、シリコン単結晶のホットゾーンの改良方法、およびシリコン単結晶の育成方法
2016/12/27 2016252459 特許 ワークの切断方法、シリコン単結晶の切断方法およびシリコンウェーハの製造方法
2016/12/27 2016254381 特許 石英試料の分解方法、石英試料の金属汚染分析方法および石英部材の製造方法
2016/12/26 2016250552 特許 シリコン材料製造工程の評価方法およびシリコン材料の製造方法
2016/12/26 2016251066 特許 エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法
2016/12/22 2017558244 特許 ルツボ検査装置、ルツボ検査方法、シリカガラスルツボの製造方法、シリコンインゴットの製造方法、ホモエピタキシャルウェーハの製造方法
2016/12/22 2017558243 特許 ルツボ管理システム、ルツボ管理方法、シリカガラスルツボの製造方法、シリコンインゴットの製造方法、ホモエピタキシャルウェーハの製造方法
2016/12/22 2019221053 特許 緩衝材
2016/12/22 2016249503 特許 蒸発抑制部材、単結晶引き上げ装置、および、シリコン単結晶の製造方法
2016/12/22 2016249986 特許 緩衝材
2016/12/22 2016249119 特許 シリコン単結晶の製造方法、熱遮蔽体および単結晶引き上げ装置
2016/12/22 2016248933 特許 単結晶ウェーハの劈開方法、単結晶ウェーハの遷移金属汚染の評価方法、及び単結晶ウェーハ劈開用治具
2016/12/21 2016143286 商標 ＳＵＭＣＯ
2016/12/21 2016248388 特許 ｐｎ接合シリコンウェーハの製造方法およびｐｎ接合シリコンウェーハ
2016/12/21 2016143287 商標 §ＳＵＭＣＯ
2016/12/21 2019203064 特許 ｐｎ接合シリコンウェーハ
2016/12/21 2016248384 特許 ｐｎ接合シリコンウェーハの製造方法
2016/12/21 2016247522 特許 シリコン単結晶の製造方法およびシリコン単結晶
2016/12/20 2016246911 特許 キャリアプレートの厚み調整方法
2016/12/20 2016246938 特許 シリコンウェーハの研磨方法およびシリコンウェーハの製造方法
2016/12/20 2017558132 特許 シリカガラスルツボ、シリカガラスルツボの製造方法およびシリコン単結晶の引き上げ装置
2016/12/20 2017558131 特許 シリカガラスルツボの歪測定装置、シリコン単結晶の製造方法およびシリコン単結晶の製造方法
2016/12/20 2016246285 特許 単結晶の製造方法
2016/12/20 2016246519 特許 シリコン単結晶の製造方法
2016/12/20 2016246910 特許 シリコンウェーハの枚葉式片面研磨方法
2016/12/15 2016243012 特許 熱遮蔽部材、単結晶引き上げ装置および単結晶シリコンインゴットの製造方法
2016/12/14 2016241952 特許 シリコン原料の融解方法
2016/12/13 2016139719 商標 ＳＵＭＣＯいまり保育園
2016/12/13 2016139720 商標 Ｎｕｒｓｅｒｙ　Ｓｃｈｏｏｌ　Ｉｍａｒｉ＼ＳＵＭＣＯ＼いまり保育園
2016/12/13 2016139718 商標 Ｎｕｒｓｅｒｙ　Ｓｃｈｏｏｌ　Ｉｍａｒｉ＼ＳＵＭＣＯいまり保育園
2016/12/6 2016236924 特許 エピタキシャルウェーハの製造方法
2016/12/5 2016236068 特許 シリコンウェーハの製造方法
2016/12/2 2016235290 特許 単結晶の製造方法
2016/11/17 2016223858 特許 エピタキシャルウェーハ及びその製造方法
2016/11/15 2016222479 特許 半導体ウェーハの評価基準の設定方法、半導体ウェーハの評価方法、半導体ウェーハ製造工程の評価方法、および半導体ウェーハの製造方法
2016/11/15 2016222433 特許 シリコンウェーハの製造方法
2016/11/15 2016222064 特許 ウェーハのエッジ研磨装置及び方法
2016/11/11 2016220225 特許 シリコン単結晶ウェーハの評価方法及び評価装置並びに製造方法
2016/11/10 2016219393 特許 砥粒の評価方法並びにウェーハの製造方法
2016/11/2 2016215561 特許 半導体ウェーハの両面研磨方法
2016/11/1 2017550269 特許 シリコン単結晶の製造方法
2016/11/1 2017550277 特許 ＩＩＩ族窒化物半導体基板の製造方法及びＩＩＩ族窒化物半導体基板
2016/10/31 2017516966 特許 単結晶シリコンの製造方法および単結晶シリコン
2016/10/14 2016202756 特許 シリコン接合ウェーハの製造方法
2016/10/14 2019153200 特許 シリコン接合ウェーハ
2016/10/13 2016202039 特許 シリコンウェーハの研磨方法、シリコンウェーハの製造方法およびシリコンウェーハ
2016/10/11 2016199860 特許 シリコン単結晶の製造方法
2016/10/7 2016198825 特許 エピタキシャルシリコンウェーハおよびエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法
2016/10/3 2016195403 特許 シリコン単結晶の製造方法およびシリコン単結晶
2016/9/29 2016191212 特許 シリコンウェーハの評価方法、シリコンウェーハ製造工程の評価方法およびシリコンウェーハの製造方法
2016/9/28 2016189698 特許 半導体ウェーハの製造方法
2016/9/23 2016185830 特許 シリコン接合ウェーハの製造方法
2016/9/21 2016184220 特許 単結晶製造用坩堝及びシリコン単結晶製造装置
2016/9/14 2016179269 特許 シリコン単結晶の製造方法及び製造装置
2016/9/14 2016179273 特許 シリコン単結晶の製造方法
2016/9/14 2020080917 特許 シリコン単結晶の製造方法
2016/9/12 2016177638 特許 シリコン単結晶の製造方法及びこれに用いる黒鉛シート並びに石英ルツボ支持容器
2016/9/8 2016175508 特許 半導体ウェーハの枚葉式洗浄装置
2016/9/6 2016173700 特許 融液導入管及びこれを用いたシリコン単結晶の製造装置
2016/9/5 2016172690 特許 劣化評価方法およびシリコン材料の製造方法
2016/9/5 2017544172 特許 ｐ型シリコンウェーハ中のＦｅ濃度測定方法
2016/8/31 2016169383 特許 半導体ウェーハのラッピング方法および半導体ウェーハ
2016/8/30 2016168213 特許 シリコン単結晶の製造方法及び装置
2016/8/29 2016166587 特許 単結晶引き上げ装置および単結晶の製造方法
2016/8/22 2016162102 特許 シリコン接合ウェーハの製造方法
2016/8/22 2016162079 特許 エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法、エピタキシャルシリコンウェーハ、及び固体撮像素子の製造方法
2016/8/12 2016158520 特許 チャック機構
2016/8/4 2016153488 特許 シリコンインゴットの切断方法およびシリコンウェーハの製造方法
2016/8/1 2016151420 特許 サセプタサポートシャフト及びエピタキシャル成長装置
2016/7/29 2016150449 特許 ウェーハの両面研磨方法
2016/7/19 2016141088 特許 シリコン試料の炭素濃度評価方法、シリコンウェーハ製造工程の評価方法、シリコンウェーハの製造方法およびシリコン単結晶インゴットの製造方法
2016/7/13 2016138464 特許 両面研磨装置
2016/7/11 2016136639 特許 シリコンウェーハの評価方法及び製造方法
2016/7/11 2016136622 特許 中性子照射シリコン単結晶の製造方法
2016/7/8 2016135938 特許 シリコンウェーハの製造方法
2016/7/8 2016136236 特許 転位発生予測方法およびデバイス製造方法
2016/7/5 2016133588 特許 クラスターイオンビーム生成方法およびそれを用いたクラスターイオンビーム照射方法
2016/6/30 2016130792 特許 試料表面の作製方法、試料表面の分析方法、電界支援酸化用プローブおよびこれを備えた走査型プローブ顕微鏡
2016/6/28 2016127283 特許 シリコン単結晶の製造方法
2016/6/27 2016126461 特許 シリコン単結晶の製造方法
2016/6/23 2016124753 特許 ｐｎ接合シリコンウェーハの製造方法
2016/6/22 2016123745 特許 積層基板の製造方法および積層基板
2016/6/17 2016120817 特許 シリコン単結晶の製造方法
2016/6/7 2016113537 特許 発塵測定装置およびそれを用いた発塵測定方法
2016/6/7 2016113429 特許 ワークの切断方法
2016/6/2 2016110637 特許 接合ウェーハの製造方法および接合ウェーハ
2016/5/31 2016109039 特許 ＳＯＩウェーハの製造方法
2016/5/30 2016107226 特許 結晶欠陥の評価方法、シリコンウェーハの製造方法及び結晶欠陥の評価装置
2016/5/25 2016103983 特許 シリコン単結晶の製造方法及び装置
2016/5/23 2016102120 特許 シリコン単結晶の製造方法、シリコンウェーハの製造方法およびシリコン単結晶
2016/5/20 2016101103 特許 シリコン単結晶の製造方法
2016/5/9 2016093870 特許 原料チャージ補助具及びこれを用いたチャージ管へのシリコン原料のチャージ方法並びにシリコン単結晶の製造方法
2016/4/22 2017515386 特許 サセプタ、エピタキシャル成長装置、及びエピタキシャルウェーハ
2016/4/22 2016085992 特許 研磨ヘッド、研磨装置およびウェーハの研磨方法
2016/4/21 2016085327 特許 エピタキシャル成長装置
2016/4/20 2016084199 特許 単結晶の製造方法および装置
2016/4/14 2016080942 特許 単結晶の製造方法および装置
2016/4/14 2016081329 特許 ウェーハ端面研磨パッド、ウェーハ端面研磨装置、及びウェーハ端面研磨方法
2016/4/14 2016081332 特許 ウェーハ端面研磨パッド、ウェーハ端面研磨装置、及びウェーハ端面研磨方法
2016/4/13 2016080242 特許 工作機械のレベリングマウント調整方法およびそれを用いたワークの研削加工方法
2016/4/11 2016078579 特許 シリコン試料の炭素濃度測定方法およびシリコン単結晶インゴットの製造方法
2016/3/28 2016064071 特許 清浄度評価方法、洗浄条件決定方法、およびシリコンウェーハの製造方法
2016/3/23 2016059090 特許 ＳＯＩ基板の製造方法
2016/3/18 2016054768 特許 基板収納容器
2016/3/14 2016049164 特許 シリコン単結晶の製造方法
2016/3/11 2016047904 特許 表面付着物の検査装置及び検査方法
2016/3/4 2016042480 特許 シリコンウェーハの製造方法およびシリコンウェーハ
2016/2/29 2016036629 特許 単結晶の製造方法および製造装置
2016/2/29 2016037338 特許 半導体エピタキシャルウェーハおよびその製造方法ならびに固体撮像素子の製造方法
2016/2/25 2016034448 特許 エピタキシャルウェーハの製造方法およびエピタキシャルウェーハ
2016/2/25 2016034064 特許 ウェーハの製造方法
2016/2/22 2016031189 特許 スリップ転位の発生予測方法、該方法を用いたシリコンウェーハの製造方法、シリコンウェーハの熱処理方法およびシリコンウェーハ
2016/2/15 2016025993 特許 ウェーハの製造方法
2016/2/12 2016024867 特許 エピタキシャルウェーハの評価方法
2016/2/3 2016019071 特許 ウェーハの製造方法
2016/2/3 2016018759 特許 シリコンウェーハの片面研磨方法
2016/2/2 2016017771 特許 ウェーハの両面研磨方法
2016/1/25 2016011364 特許 エピタキシャルウェーハの品質評価方法および製造方法
2016/1/22 2016573278 特許 単結晶引き上げ装置のクリーニング方法及びこれに用いるクリーニング用具並びに単結晶の製造方法
2016/1/5 2016000367 特許 リチャージ装置を用いたシリコン原料の融解方法
2015/12/24 2015251206 特許 シリコンウェーハの面取り方法、シリコンウェーハの製造方法およびシリコンウェーハ
2015/12/22 2015249312 特許 ウェーハの両面研磨方法及びこれを用いたエピタキシャルウェーハの製造方法
2015/12/18 2015247938 特許 シリコンゲルマニウムエピタキシャルウェーハの製造方法およびシリコンゲルマニウムエピタキシャルウェーハ
2015/12/18 2015247540 特許 半導体ウェーハの厚み分布測定システムおよび半導体ウェーハ研磨システム、半導体ウェーハの厚み分布測定方法および半導体ウェーハの厚み取り代分布測定方法、ならびに半導体ウェーハの研磨方法
2015/12/18 2015247939 特許 シリコンゲルマニウムエピタキシャルウェーハの製造方法およびシリコンゲルマニウムエピタキシャルウェーハ
2015/12/18 2015247722 特許 貼り合わせウェーハの製造方法および貼り合わせウェーハ
2015/12/18 2015247341 特許 ウェーハ研磨方法および研磨装置
2015/12/17 2015246547 特許 シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法および固体撮像素子の製造方法
2015/12/17 2015246157 特許 半導体エピタキシャルウェーハの汚染評価方法およびそれを用いたエピタキシャル成長装置の汚染評価方法
2015/12/15 2015244458 特許 半導体エピタキシャルウェーハの製造方法および固体撮像素子の製造方法
2015/12/14 2015243361 特許 クリーニング装置、クリーニング方法およびシリコン単結晶の製造方法
2015/12/10 2015241321 特許 シリコン単結晶の製造方法
2015/12/8 2015239368 特許 特定欠陥の検出方法、特定欠陥の検出システムおよびプログラム
2015/12/7 2015238794 特許 シリコン単結晶の製造方法
2015/12/7 2015238360 特許 シリコン単結晶の製造方法
2015/12/7 2015238597 特許 双晶欠陥発生領域の除去方法およびシリコンウェーハの製造方法
2015/11/30 2015233126 特許 シリコンウェーハの評価方法およびその利用
2015/11/27 2015232367 特許 ウェーハの評価方法、シリコンウェーハの製造方法、シリコン単結晶インゴット
2015/11/26 2015230350 特許 ウェーハ研磨方法
2015/11/26 2015231072 特許 シリコン単結晶の製造方法
2015/11/20 2015227654 特許 シリコン単結晶の酸素濃度の評価方法およびシリコン単結晶
2015/11/16 2015223796 特許 エピタキシャルウェーハの製造装置
2015/11/16 2015223807 特許 シリコンウェーハの品質評価方法およびシリコンウェーハの製造方法
2015/11/13 2015223442 特許 シリコン単結晶の製造方法
2015/11/9 2015219532 特許 サセプタ、気相成長装置および気相成長方法
2015/11/9 2015219242 特許 原料のリチャージ又は単結晶引上げに用いられる蓋付容器
2015/10/30 2015214606 特許 ウェーハ研磨装置およびこれに用いる研磨ヘッド
2015/10/30 2015213837 特許 顕微ラマン分光分析装置による分析方法
2015/10/26 2015209676 特許 シリコンウェーハの検査方法
2015/10/20 2015206066 特許 半導体ウェーハの加工方法
2015/10/15 2015203746 特許 半導体エピタキシャルウェーハの製造方法および固体撮像素子の製造方法
2015/10/15 2015203369 特許 単結晶引上げ装置が備えるヒータ関連部材の選択方法
2015/10/14 2015202972 特許 単結晶製造装置および製造方法
2015/10/9 2015201489 特許 研削装置および研削方法
2015/10/7 2015199111 特許 半導体ウェーハの評価方法
2015/10/6 2015198513 特許 ウェーハ検査方法およびウェーハ検査装置
2015/10/6 2015198388 特許 シリコン単結晶の引上げ方法
2015/10/5 2015197776 特許 エピタキシャルウェーハ裏面検査装置およびそれを用いたエピタキシャルウェーハ裏面検査方法
2015/9/24 2015556325 特許 シリコン単結晶の製造方法及び製造システム
2015/9/24 2015555487 特許 石英ガラスルツボの破壊検査方法及び良否判定方法
2015/9/24 2016246873 特許 シリコン単結晶の製造方法及びこれに用いるシリカガラスルツボの検査方法及び検査システム
2015/9/24 2015186942 特許 エピタキシャルウェーハ表面検査装置およびそれを用いたエピタキシャルウェーハ表面検査方法
2015/9/24 2015186988 特許 酸化ガリウム単結晶育成用ルツボおよび酸化ガリウム単結晶の製造方法
2015/9/16 2015182578 特許 エピタキシャルウェーハの成膜条件決定方法、ならびにエピタキシャルウェーハの製造方法および製造装置
2015/9/15 2015181376 特許 単結晶の製造方法および装置
2015/9/10 2015178699 特許 ウェーハ検査方法およびウェーハ検査装置
2015/9/4 2015174667 特許 エピタキシャルシリコンウェーハ
2015/9/3 2015173959 特許 半導体エピタキシャルウェーハの製造方法、品質予測方法および品質評価方法
2015/9/3 2015173899 特許 単結晶の製造方法
2015/8/27 2019046112 特許 ＳＯＩウェーハ
2015/8/27 2015167948 特許 ＳＯＩウェーハの製造方法およびＳＯＩウェーハ
2015/8/27 2015167949 特許 ＳＯＩウェーハの製造方法およびＳＯＩウェーハ
2015/8/26 2015167146 特許 ｎ型シリコン単結晶インゴットの製造方法、および、ｎ型シリコンウェーハの製造方法
2015/8/26 2019118154 特許 ｎ型シリコン単結晶インゴットの製造方法、および、ｎ型シリコンウェーハの製造方法
2015/8/26 2015166585 特許 シリコン単結晶の製造方法
2015/8/24 2015165146 特許 シリコンウェーハの工程計画立案システム、工程計画立案装置、工程計画立案方法及びプログラム
2015/8/21 2015163511 特許 シリコン単結晶の製造方法
2015/8/21 2015163510 特許 単結晶の製造方法および製造装置
2015/7/31 2015152825 特許 シリコン単結晶の製造方法
2015/7/28 2015148558 特許 エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法
2015/7/3 2015134146 特許 シリコン単結晶の検査方法および製造方法
2015/7/2 2015133228 特許 シリコン融液供給装置及び方法並びにシリコン単結晶製造装置
2015/7/2 2015133184 特許 シリコン単結晶引上げ装置内の部材の再生方法
2015/6/30 2015131179 特許 ＤＬＴＳ測定装置の管理方法
2015/6/26 2015128495 特許 エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法
2015/6/26 2015128970 特許 シリコンウェーハの良否判定方法、該方法を用いたシリコンウェーハの製造方法およびシリコンウェーハ
2015/6/26 2015128521 特許 ミニエンバイロメント装置
2015/6/23 2015125697 特許 ワイヤーソー装置およびワークの切断方法
2015/5/29 2015109937 特許 エピタキシャル成長装置、エピタキシャルウェーハの製造方法およびエピタキシャル成長装置用リフトピン
2015/5/29 2015109946 特許 エピタキシャル成長装置、エピタキシャルウェーハの製造方法およびエピタキシャル成長装置用リフトピン
2015/5/29 2015110014 特許 半導体ウェーハのエッチング装置及び半導体ウェーハのエッチング方法
2015/5/8 2015095604 特許 シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法およびシリコンエピタキシャルウェーハ
2015/4/30 2015092805 特許 エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法
2015/4/28 2015091434 特許 ウェーハの両面研磨装置
2015/4/27 2015090559 特許 サセプタ及びエピタキシャル成長装置
2015/4/27 2015090588 特許 ツルーアーの製造方法および半導体ウェーハの製造方法、ならびに半導体ウェーハの面取り加工装置
2015/4/27 2015090558 特許 シリコン単結晶の製造方法
2015/4/17 2015084638 特許 種結晶の温度測定方法、および単結晶の製造方法
2015/4/14 2015082255 特許 エピタキシャルウェーハの評価方法および評価装置
2015/4/10 2016525673 特許 シリコンウェーハの製造方法
2015/4/10 2015080537 特許 半導体ウェーハの製造方法および半導体ウェーハの評価方法
2015/4/10 2017118148 特許 シリコンウェーハの製造方法
2015/4/9 2015079864 特許 単結晶引き上げ用種結晶保持具及びこれを用いたシリコン単結晶の製造方法
2015/3/27 2015065689 特許 シリコンウェーハの製造方法
2015/3/27 2018165541 特許 シリコンウェーハの製造方法
2015/3/26 2015064024 特許 シリコン単結晶の製造方法
2015/3/26 2015064025 特許 シリコン単結晶の製造方法
2015/3/18 2015055160 特許 半導体基板の評価方法及び半導体基板の製造方法
2015/2/26 2015036233 特許 原料融液液面と種結晶下端との間隔測定方法、種結晶の予熱方法、および単結晶の製造方法
2015/2/25 2015035646 特許 シリコンウェーハの良否判定方法、該方法を用いたシリコンウェーハの製造方法およびシリコンウェーハ
2015/2/25 2015035653 特許 半導体ウェーハのゲッタリング能力評価方法、それを用いた半導体ウェーハの判定方法および製造方法
2015/2/25 2015035650 特許 半導体ウェーハの枚葉式片面研磨方法および半導体ウェーハの枚葉式片面研磨装置
2015/2/20 2015032143 特許 エピタキシャル成長装置及びサセプタサポートシャフト
2015/2/3 2015018932 特許 エピタキシャル成長装置、およびエピタキシャル成長方法
2015/1/14 2015005202 特許 シリコン単結晶の製造方法
2015/1/13 2015004062 特許 シリコンウェーハの製造方法及び半導体装置の製造方法
2015/1/9 2015556788 特許 ワークの厚さ測定装置、測定方法、及びワークの研磨装置
2014/12/26 2014265757 特許 砥粒の評価方法、および、シリコンウェーハの製造方法
2014/12/25 2014109605 商標 勝高
2014/12/25 2015554978 特許 石英ガラスルツボ及びその製造方法
2014/12/25 2014262930 特許 エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法
2014/12/25 2015554979 特許 石英ガラスルツボ及びその歪み測定装置
2014/12/25 2014262746 特許 半導体エピタキシャルウェーハの製造方法および固体撮像素子の製造方法
2014/12/24 2014261123 特許 単結晶の製造方法およびシリコンウェーハの製造方法
2014/12/24 2014261122 特許 単結晶の製造方法
2014/12/8 2014248075 特許 エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法、および、気相成長装置
2014/12/4 2014245687 特許 吸着チャック、面取り研磨装置、及び、シリコンウェーハの面取り研磨方法
2014/12/2 2014244032 特許 シリコン単結晶の育成方法
2014/11/26 2014239030 特許 気相成長装置の汚染管理方法、エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法
2014/11/12 2014229393 特許 半導体ウェーハの支持方法及びその支持装置
2014/11/12 2014229925 特許 シリコンウェーハの製造方法
2014/10/31 2014223196 特許 リフトピン、該リフトピンを用いたエピタキシャル成長装置およびエピタキシャルウェーハの製造方法
2014/10/31 2014223208 特許 リフトピン、該リフトピンを用いたエピタキシャル成長装置およびエピタキシャルウェーハの製造方法
2014/10/24 2014217019 特許 単結晶の製造方法及び製造装置
2014/10/17 2014212483 特許 単結晶の製造方法及び製造装置
2014/10/3 2015540576 特許 研磨剤組成物、シリコンウェハー用研磨剤組成物、およびシリコンウェハー製品の製造方法
2014/10/2 2014204168 特許 気相成長装置の汚染管理方法、エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法
2014/9/25 2014195326 特許 ワークの研磨装置およびワークの製造方法
2014/9/22 2014192694 特許 単結晶ＳｉＣウェーハの製造方法
2014/9/22 2014192696 特許 貼合せＳｉＣウェーハの製造方法及び貼合せＳｉＣウェーハ
2014/9/22 2014193113 特許 ルツボ測定装置
2014/9/22 2014193116 特許 ルツボ測定方法
2014/9/22 2014193115 特許 シリカガラスルツボの製造方法
2014/9/19 2014191580 特許 エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法及び気相成長装置
2014/9/11 2014185513 特許 ボロンドープｐ型シリコンウェーハの金属汚染評価方法および評価装置、ならびにボロンドープｐ型シリコンウェーハの製造方法
2014/9/5 2014181087 特許 結晶欠陥の評価方法及びウェーハの製造方法
2014/8/29 2014175330 特許 シリコンウェーハの研磨方法
2014/8/28 2014174330 特許 エピタキシャルシリコンウェーハおよびその製造方法、ならびに、固体撮像素子の製造方法
2014/7/29 2014153984 特許 エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法
2014/7/25 2014152315 特許 シリコン単結晶の製造方法
2014/7/17 2014147114 特許 単結晶の製造方法及び製造装置
2014/7/9 2014141139 特許 ＤＮＡチップ及びその製造方法
2014/7/9 2014141140 特許 バイオチップ及びその製造方法
2014/7/9 2014141551 特許 エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法
2014/7/4 2014139131 特許 半導体基板表面の有機物汚染評価方法およびその利用
2014/6/24 2015533944 特許 ウェーハの研磨方法およびウェーハの研磨装置
2014/6/24 2014128975 特許 研削装置および研削方法
2014/6/5 2014116391 特許 単結晶の製造方法
2014/5/19 2014103609 特許 シリコンウェーハの製造方法
2014/5/13 2014099845 特許 エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法、エピタキシャルシリコンウェーハ、および固体撮像素子の製造方法
2014/5/13 2014099378 特許 半導体エピタキシャルウェーハの製造方法および固体撮像素子の製造方法
2014/5/13 2014099656 特許 貼り合わせウェーハの製造方法
2014/3/13 2014050633 特許 半導体エピタキシャルウェーハの製造方法、半導体エピタキシャルウェーハ、および固体撮像素子の製造方法
2014/2/26 2014035969 特許 エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法
2014/2/21 2014031386 特許 エピタキシャルウェーハの製造方法
2014/2/20 2014030719 特許 シリコンウェーハの製造方法
2014/2/17 2014027473 特許 半導体ウェーハの製造方法
2014/2/4 2015501387 特許 半導体ウェーハの加工方法
2014/1/23 2014010227 特許 シリコンの溶解方法及びその装置並びに該装置を備えたシリコン単結晶製造装置
2014/1/14 2015557576 特許 シリコンウェーハの製造方法
2014/1/7 2014001182 特許 半導体エピタキシャルウェーハの製造方法、半導体エピタキシャルウェーハ、および固体撮像素子の製造方法
2014/1/7 2014001098 特許 エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法
2014/1/7 2014001074 特許 エピタキシャルウェーハの製造方法およびエピタキシャルウェーハ
2013/12/28 2013273685 特許 石英ガラスルツボ及びその製造方法
2013/12/27 2013270641 特許 単結晶の引上げ方法
2013/12/27 2013271509 特許 エピタキシャル成長装置
2013/12/26 2013270033 特許 ワークの両面研磨装置
2013/12/5 2013252339 特許 シリコン単結晶の育成方法
2013/12/5 2013252335 特許 シリコン単結晶の育成方法
2013/11/29 2013248106 特許 シリコンウェーハの製造方法
2013/11/26 2013244056 特許 エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法
2013/11/18 2013237986 特許 ワークの両面研磨装置及び両面研磨方法
2013/11/12 2018127268 特許 シリコンウェーハの製造方法
2013/11/12 2013233593 特許 シリコンウェーハの製造方法
2013/11/5 2013229088 特許 シリコン単結晶製造方法
2013/11/1 2013228604 特許 半導体ウェーハの外周部の検査装置および検査方法
2013/10/29 2013224414 特許 キャリアプレート及びワークの両面研磨装置
2013/10/2 2013207446 特許 メンブレン、研磨ヘッド、ワークの研磨装置及び研磨方法、並びに、シリコンウェーハ
2013/9/27 2013200818 特許 ＳＯＩウェーハの製造方法
2013/9/6 2013069899 商標 §ＳＵＭＣＯ
2013/9/4 2013183148 特許 シリコンウェーハおよびその製造方法
2013/9/4 2013183149 特許 エピタキシャルウェーハの製造方法及び貼り合わせウェーハの製造方法
2013/8/30 2013178934 特許 インゴットとワークホルダの接着方法及び接着装置
2013/8/30 2013180034 特許 ワークの両面研磨装置及び両面研磨方法
2013/8/30 2013178750 特許 ＳＯＩウェーハの製造方法
2013/8/20 2013170152 特許 エピタキシャルウェーハの製造方法およびエピタキシャルウェーハ
2013/8/8 2013164921 特許 貼り合わせウェーハの製造方法および貼り合わせウェーハ
2013/8/6 2013162880 特許 ウェーハ運搬台車及びウェーハ運搬方法
2013/8/6 2013163464 特許 ワイヤーソー用加工液供給ノズルおよびワイヤーソーへの加工液供給方法
2013/8/5 2013162512 特許 貼り合わせウェーハの製造方法および貼り合わせウェーハ
2013/6/30 2016205663 特許 シリカガラスルツボの検査方法
2013/6/30 2015524913 特許 シリコン単結晶引上げ用シリカガラスルツボの製造に好適なシリカ粉の評価方法
2013/6/30 2015524912 特許 シリカガラスルツボの検査方法
2013/6/30 2015524914 特許 シリカガラスルツボ
2013/6/29 2017039352 特許 シリコン単結晶引き上げ方法
2013/6/29 2015523818 特許 シリコン単結晶引き上げ方法
2013/6/26 2013133386 特許 半導体ウェーハの加工プロセス
2013/6/24 2014522427 特許 ワークの研磨方法およびワークの研磨装置
2013/6/17 2013126568 特許 エピタキシャルウェーハの製造方法及びその製造装置
2013/6/12 2013044961 商標 シリコンユナイテッドマニュファクチュアリング
2013/6/12 2013044959 商標 Ｓｉｌｉｃｏｎ　Ｕｎｉｔｅｄ　Ｍａｎｕｆａｃｔｕｒｉｎｇ
2013/6/12 2013044960 商標 Ｓｉｌｉｃｏｎ　Ｕｎｉｔｅｄ
2013/6/12 2013044962 商標 シリコンユナイテッド
2013/6/10 2013121845 特許 エピタキシャルウェーハの製造方法
2013/6/4 2013117816 特許 貼合せＳＯＩウェーハの製造方法
2013/5/31 2015519596 特許 シリコン単結晶引き上げ用シリカガラスルツボ及びその製造方法
2013/5/31 2016199466 特許 シリコン単結晶の製造方法
2013/4/3 2013077411 特許 エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法
2013/3/18 2013054885 特許 人頭型気流試験装置及び該装置を用いた防塵用具の品質検査を行う方法
2013/3/1 2014507368 特許 多結晶シリコンおよびその鋳造方法
2013/2/21 2013031609 特許 エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法
2013/2/14 2013026265 特許 ウェーハ収納容器梱包用緩衝材
2013/1/24 2013011446 特許 半導体ウェーハの金属汚染評価方法および半導体ウェーハの製造方法

株式会社ＳＵＭＣＯの政府届出情報

  • 経済産業省
    ＰＲＴＲ：窯業・土石製品製造業
  • 経済産業省
    ＰＲＴＲ：非鉄金属製造業
  • 経済産業省
    ＰＲＴＲ：電気機械器具製造業
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  • 株式会社エシトピア
    株式会社エシトピアの所在地は東京都港区六本木７丁目７番７号Ｔｒｉ－ＳｅｖｅｎＲｏｐｐｏｎｇｉ８階で、2024-04-22に法人番号：9010401181999が指定されました。
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    エヌ・ティ・ジェイ株式会社の所在地は東京都港区三田４丁目８番４１号で、2024-04-22に法人番号：9010401181966が指定されました。
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    株式会社Ｄｅｃｅｎｔｒａｌｉｓｅの所在地は東京都港区浜松町１丁目１番１０号で、2024-04-22に法人番号：9010401181958が指定されました。
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